附录 99.5

应用产品和商业机会 Jim Koonmen 业务线应用执行副总裁

应用产品和商机关键信息幻灯片 2021 年 9 月 29 日应用业务 预计在 2020 年至 2025 年期间将以约 20% 的复合年增长率增长，毛利率强劲。应用产品组合支持 ASML 扫描仪业务，这得益于我们帮助客户最大限度地提高图案化 性能的独特能力，推动边缘定位误差 (EPE) 的改善提供领先的光学和解决方案 电子束计量和 检测将 ASML 的完整产品组合集成到整体光刻解决方案中以优化和控制光刻工艺增长的主要驱动力是我们的 EPE 路线图的扩展：新的 计量、检测和控制产品扩展了路线图创新产品结合了计算技术、YieldStar 叠加计量学和电子束 计量硬件和软件产品支持将 EUV 引入 HVM 深层新应用计算光刻和缺陷检测方面的学习都得到了改善公演公开

市场和产品路线图整体光刻技术推动 EPE 电子束检测的改进

应用领域的增长机会来自关键细分市场的技术转变幻灯片 4 2021 年 9 月 29 日行业驱动力技术转变分辨率吞吐量 HighResolutio 单光束/光学多波束每十亿分的失效检测测量光学叠加：基于图像到精度基于衍射的光学和电子束精密光学 叠加：目标设备计量大规模计量电子光束：小视场大视场市场 TAMS 物理模型深度学习计算模型精度矩形自由形掩模图案光刻计算成本 40B CPU 混合/GPU 计算 3.3B 过渡到 EPE 叠加层/CD EPE 扫描仪和 EUV 向 HVM HVM：DUV DUV + EUV 过程控制软件高级校正低位高阶扫描仪校正 2017 年 2025 年 Public TAM 基于 ASML 对 VLSI 研究和 Gartner 的解释

计量、检验和模式化控制路线图幻灯片 5 2021 年 9 月 29 日 2020 年 2021 年 2022 2023 2024 ³ 2025 扫描仪接口提高扫描仪驱动力（DUV 和 EUV）、EPE 控制和控制软件叠加计量快速阶段、多波长、计算计量、YieldStar 设备内计量电子束单光束高分辨率、大视场、计量大规模计量、EPE 计量电子束缺陷 多波束、快速和精确阶段、高着陆能、引导检查检查计算提高模型精度、反向 OPC、光刻机和深度学习、蚀刻模型公开

市场和产品路线图整体光刻技术推动EPE的改进 电子束检测

我们的整体产品组合比以往任何时候都更加重要，配备幻灯片 7 号 2021 年 9 月 29 日高级 控制功能 EUV：NXE 和 DUV：XT 和 Exe 平台 NXT 平台沉积工具过程窗口预测和控制增强叠加光学近距离校正 CD YieldStar 电子束计算光刻光学计量学和计算计量电子束计量电子束检测过程窗口 检测公开

我们的整体产品组合比以往任何时候都更加重要配备 Slide 8 的光刻扫描仪 2021 年 9 月 29 日高级 控制功能 EUV：NXE 和 DUV：XT 和 Exe 平台 NXT 平台沉积工具工艺窗口过程窗口预测和控制增强光学近程校正 YieldStar 电子束 计算光刻光学计量学和计算计量电子束测量电子束检测过程窗口检测公众

我们的整体产品组合比以往任何时候都更加重要，配备幻灯片 9 号 2021 年 9 月 29 日高级 控制功能 EUV：NXE 和 DUV：XT 和 Exe 平台 NXT 平台沉积工具工艺窗口过程窗口预测和控制增强光学近距离校正 YieldStar 电子束 计算光刻光学计量学和计算计量电子束测量电子束检测过程窗口检测公众

流程中每个步骤均可获得所有数据使用扫描仪计量、YieldStar、HMI 计量和检测 优化幻灯片 2021 年 9 月 29 日采样以实现扫描仪控制，并作为产量代表以加快扫描仪控制 收益时间蚀刻后蚀刻/CMP 蚀刻后计算光刻 蚀刻后光刻蚀刻后电子束光刻计量计量检测食谱食谱配方数据数据数据 数据虚拟计算平台 HMI 电子束人机界面电子束整体扫描仪 YieldStar 混合地铁计量检测应用程序应用程序应用程序 VCP 应用程序单用户界面、常见功能、控制框架完成每一个步骤 ASML 共享函数和（域）模型分析基础数据基础设施设备和自动化集成、 安全、数据解决方案客户通用计算硬件客户公众

市场和产品路线图整体光刻技术推动EPE的改进 电子束检测

减少边缘放置误差 (EPE) 是提高产量的关键，由于随机波动，局部 CD 误差变得越来越重要 幻灯片 2021 年 9 月 29 日 nm 250 边缘放置误差 (EPE)：叠加误差和 CD 均匀性的综合误差（全球 EPE 是产量 CDU、局部 CD 错误和 OPC 错误的最佳预测指标）CD：临界尺寸，OPC：光学掩膜 近距离校正公开

YieldStar 光刻后和蚀刻后的叠加测量描述工艺错误并启用 精确特征放置幻灯片 2021 年 9 月 29 日光刻蚀后的光学叠加计量光刻后的光学叠加计量 YS385 YS1385 计量学精确的叠加数据实际 设备上目标上的精确叠加数据校正~800 点 x 4 晶圆每批次光刻叠加控制：蚀刻精炼后 Litho sparse + Public

推动 EPE 的改进需要高保真、快速和准确的计量才能最大限度地提高幻灯片 2021 年 9 月 14 日扫描仪校正能力计量监控控制叠加 YieldStar B 层到 A 层最终双层 EPE 图案设计为 >1,000 次测量/晶圆 1000 万次测量/晶圆 60 分钟单层 EPE B 层晶圆 HMI epx 计算 EPE 签名控制软件 >1000 万次测量/晶圆 60 分钟

ASML 扫描仪可提高 EPE 和产量 ASML 扫描仪具有独特的查找、测量和校正幻灯片 2021 年 9 月 29 日图案变化 FlexRay 照明器偶数手指剂量灰色滤光片光学 Ce 操纵器 Y Z 光谱台计量阶段曝光阶段 100% 的晶片都经过测量 处理 逐场晶圆级扫描仪执行器正好安装在 逐场basis 公开

更严格的 EPE 要求推动计量提高 ASML 提供准确、经济实惠的叠加、EPE 和 缺陷计量幻灯片 2021 年 9 月 29 日每批测量值数十亿次叠加 EPE 缺陷 EPE 缺陷 EPE 需求 14 12 万 [nm]10 8 要求 6 千个 EPE 4 2015 2018 2024 2027 2030 2 0 叠加 2015 2018 2024 2027 2030 EPE 缺陷 检查公开

EUV 随机时代，需要十亿分之一的控制策略缺陷感知监控和控制 如今，服务器芯片的大小可能约为 800mm2

需要十亿分之一的控制策略在 EUV 时代，缺陷感知监控和控制 1 mm 1 mm 每平方毫米可以有 >100M 个接触孔，每个节点增加 1.5 倍如今，服务器芯片的大小可能约为 800mm2

需要十亿分之一的控制策略在 EUV 随机时代，缺陷感知监控和控制 幻灯片 2021 年 9 月 29 日 SEM 图片：示例缺少接触孔因此其中约有 80B 个需要正常工作每平方毫米可能有 >100M 个接触孔，每个节点增加 1.5 倍今天，服务器芯片的大小可能约为 800mm2

市场和产品路线图整体光刻推动EPE 改进电子束检测

高分辨率 电子束与光学亮场检测高 分辨率电子束提供优于光学检测的分辨率，2021 年 9 月 21 日 29 日幻灯片可检测微小的图案保真度缺陷客户设计缩放光学亮场电子束能够捕获十亿分之一的精度特征尺寸检测缺乏具有纳米分辨率的模式保真度缺陷金属层设计光学明场图像基于设计的高分辨率电子束图像检测程序。SPIE 9778，《微型光刻的计量、检验和过程控制》，97780O（2016 年 4 月 21 日）Public

电子束检测具有固有的分辨率优势通过增加多波束的平行度来提高 吞吐量 2021 年 9 月 22 日 9月29日 1000000 2 纳米节点的最小缺陷尺寸 100000 光学明场检测 10000 1000 Gen 3 多波束（~2028）增加 100 [mm²/小时]吞吐量允许 增加 10 个 HVM 第 2 代多波束（约 2024 年）ghput 应用程序 Throu 1 0.1 Gen 1 Multibeam (2021) 扫描 0.01 电子显微镜 0.001 图像单电子束（研发）0.0001 60 40 20 10 8 6 4 2 1 缺陷 尺寸 [nm]公众

电子束检测：电压对比 (VC) 和物理缺陷电子束检测发现良率限制缺陷的独特 功能幻灯片 2021 年 9 月 29 日幻灯片 VC 检测：检测层间缺陷物理检测：检测导致电开路和短路缺陷的层内缺陷，例如设计和 工艺薄弱环节 eScan eScan ePX 大量用于 DRAM 和 3D NAND 应用于所有细分市场 HMI 是电子束领域的技术领导者 br} 大电流、充电控制和快速数据速率使人机界面处于领先地位 Public

多波束同时解决 VC 和物理缺陷检测在高 分辨率下提供经济高效的吞吐量提升 2021 年 9 月 24 日幻灯片 VC 检测：检测层间物理检测：检测导致电开路和短路缺陷的层内缺陷，例如设计和工艺薄弱点 eScan eScan ePX P (-1,1) P (0,1) P (1,1) P (-1,0) P (0,0) P (1,0) eScan P(-1,-1) P (0, -1) P (1, -1) eScan 多波束多波束公共波束

Multibeam 利用 ASML 核心技术越来越多 电子束检测 大批量制造的吞吐量幻灯片 2021 年 9 月 25 日 3 Brions 计算技术：支持深度学习的单光束系统图像质量增强基于设计的缺陷检测 吞吐量 2 ASMLS 舞台技术：高速运动高定位精度 1 HMI 高级电子光学和 MEMS 同时扫描 9 条光束的高质量 SEM 图像 公共

Multibeam：当前状态实施 eScan1000 (3x3) 的学习并驾驶 eScan1100 幻灯片 9 月 29 日 2021 (5x5) 预计将于2021年第四季度获得首次发货资质关键信息多波束技术面临挑战我们经历了一些项目延迟：终止了最初的开发合作伙伴关系， COVID 我们为团队增加了额外的专业知识并开发了新的多波束 IP 我们对多波束仍然充满信心并致力于实现其市场潜力 Status 今天 3 个 eScan1000 原型（3x3 光束）正在运行并正在评估系统成像结果 eScan1100（5x5 光束）eScan1100 5x5 多波束系统全面运行的资格认证速度； 预计于 2021 年第四季度首次发货公开

应用产品和商业机会关键信息 2021 年 9 月 27 日幻灯片应用业务 预计在 2020 年至 2025 年期间将以约 20% 的复合年增长率增长，毛利率强劲。应用产品组合支持 ASML 扫描仪业务，这得益于我们帮助客户最大限度地提高图案化 性能的独特能力，推动边缘定位误差 (EPE) 的改善提供领先的光学和解决方案 电子束计量和 检测将 ASML 的完整产品组合集成到整体光刻解决方案中以优化和控制光刻工艺增长的主要驱动力是我们的 EPE 路线图的扩展：新的 计量、检测和控制产品扩展了路线图创新产品结合了计算技术、YieldStar 叠加计量学和电子束 计量硬件和软件产品支持将 EUV 引入 HVM 深层新应用计算光刻和缺陷检测方面的学习都得到了改善公演公开

前瞻性陈述幻灯片 2021 年 9 月 29 日本演示文稿包含 前瞻性陈述，包括与预期增长、前景和预期财务业绩有关的陈述，包括预期的净销售额、毛利率、研发成本、销售和收购成本和 有效税率、2025 年的年度收入机会、2025 年的财务模型以及假设和预期增长率及驱动因素、包括2020-2025年和2020-2030年增长率在内的预期增长，总计稳定的市场，2025 年以后的增长机会 以及光刻、计量和检测系统的预期年增长率以及装机群管理的预期年增长率、到 2030 年的潜在市场的预期趋势、逻辑和内存 收入机会的预期趋势、长期增长机会和展望、需求和需求驱动因素的预期趋势、系统和应用的预期收益和性能、半导体终端市场趋势、包括预期需求在内的半导体 行业的预期增长成长和未来几年的资本支出、预期的晶圆需求增长和晶圆产能投资、预期的光刻市场需求和增长与支出、增长机会和驱动力、EUV 和 DUV 需求、销售、前景、路线图、机会和产能增长的预期趋势 以及预期的EUV采用率、盈利能力、可用性、生产率和产量以及估计的晶圆需求和价值改善、 应用业务的预期趋势、已安装基础管理的预期趋势，包括预期收入和目标利润率，应用程序业务的预期趋势和增长机会，对 的预期High-na，对产能的提高、计划、战略和战略优先事项及方向的预期，增加产能、产量和产量以满足需求的预期，对 摩尔定律继续发展的期望，以及摩尔定律的演变、产品、技术和客户路线图，以及有关资本配置政策、分红和股票回购的声明和意向，包括打算继续 通过股票收购组合向股东返还大量现金的意图回报并按年计增长有关ESG承诺、可持续发展战略、目标、举措和里程碑的分红和声明。 通常可以使用诸如可能、将、可能、应该、预测、相信、预期、计划、 估计、预测、潜力、打算、继续、目标、未来、进展、目标以及这些词语或可比词语的变体等词语来识别这些陈述。这些 陈述不是历史事实，而是基于当前对我们业务和未来财务业绩的预期、估计、假设和预测，读者不应过分依赖它们。前瞻性 陈述不能保证未来的表现，涉及许多已知和未知的重大风险和不确定性。这些风险和不确定性包括但不限于经济状况；产品需求和半导体设备 行业产能、全球半导体需求和制造产能利用率、半导体终端市场趋势、总体经济状况对消费者信心和对 客户产品需求的影响、我们系统的性能、COVID-19 疫情以及为遏制疫情而采取的措施对全球经济和金融市场以及 ASML 及其客户的影响 和供应商和其他可能影响ASML销售额和毛利率的因素，包括客户需求和ASML获得产品供应的能力、研发计划和技术进步的成功、新 产品开发的步伐和客户对新产品的接受和需求、产能和我们提高满足需求的能力的能力、订购、发货和确认收入的系统的数量和时间以及订单 取消或推迟生产的风险我们系统的容量，包括系统延迟的风险生产和供应链能力、限制、短缺和中断、半导体行业的趋势、我们执行专利 和保护知识产权的能力以及知识产权争议和诉讼的结果、原材料、关键制造设备和合格员工的可用性以及劳动力市场的趋势、地缘政治因素、 贸易环境；进出口和国家安全法规和命令及其对我们的影响、实现可持续发展目标的能力、汇率和税收的变化利率、可用流动性和流动性需求、我们 债务再融资的能力、可用现金和可分配储备金以及其他影响股息支付和股票回购的因素、股票回购计划的结果以及截至2020年12月31日止年度的ASML 20-F表年度报告以及向美国证券交易委员会提交和提交的其他文件中列出的风险因素中指出的其他风险。这些前瞻性陈述仅在本文件发布之日 作出。除非法律要求，否则我们没有义务在本报告发布之日之后更新任何前瞻性陈述，也没有义务使此类陈述与实际业绩或修订后的预期保持一致。公开

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