附录 99.1

英特尔和ASML加强合作，在2025年推动高NA进入制造业

英特尔首次订购了 ASMLS TWINSCAN EXE: 5200 系统，这标志着在推出 EUV 0.55 NA (High-na) 的道路上迈出了下一步。

荷兰维尔德霍芬和美国俄勒冈州希尔斯伯勒，2022年1月19日今天， ASML Holding N.V. (ASML) 和英特尔公司 (INTC) 宣布了他们长期合作的最新阶段，以推进半导体光刻技术的尖端发展。英特尔已向ASML发出了第一份采购订单，用于交付业界首款TWINSCAN EXE: 5200系统，这是一款极紫外线 (EUV) 大批量生产系统，具有很高的数值孔径，每小时生产率超过200片，是两家公司 长期高NA合作框架的一部分。

英特尔的愿景和对ASML高NA EUV技术的早期承诺证明了其对摩尔定律的不懈追求。ASML总裁兼首席技术官Martin van den Brink表示，与当前的EUV系统相比，我们创新的扩展EUV路线图以更低的 复杂性、成本、周期时间和能量提供了持续的光刻改进，这是芯片行业在未来十年内推动负担得起的扩张所必需的。

英特尔在7月的加速活动中宣布，计划部署首款高NA技术，以实现其 晶体管创新路线图。英特尔是2018年第一个购买较早的TWINSCAN EXE: 5000系统的公司，随着今天宣布的新收购，此次合作延续了英特尔从2025年开始使用高NA EUV进行量产制造的道路。

英特尔的重点是保持在半导体光刻 技术的最前沿，在过去的一年中，我们一直在建立我们的 EUV 专业知识和能力。英特尔执行副总裁兼技术开发总经理安·凯勒赫博士说，我们将与ASML密切合作，利用高NA EUV的高分辨率图案作为我们 延续摩尔定律并保持向最小几何形状发展的悠久历史的方式之一。

EXE 平台是 EUV 技术的进化一步，包括新颖的光学设计以及速度明显更快的标线和晶圆阶段。TWINSCAN EXE: 5000 和 EXE: 5200 系统提供 0.55 的数值孔径，与之前的 EUV 机器相比，精度提高了，采用 0.33 数值孔径镜头，可以实现更高分辨率的图案，以实现更小的晶体管功能。系统的 数值孔径与使用的波长相结合，决定了最小的可打印特征。

EUV 0.55 NA 旨在从 2025 年开始启用 多个未来节点，这是业界的首次部署，其次是类似密度的内存技术。在2021年投资者日上，ASML分享了其EUV路线图，并表示 High-na技术有望在2025年开始支持生产制造。今天的公告与该路线图一致。

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突破性的技术可以解决人类面临的一些最棘手的挑战，例如医疗保健、能源使用和节约、交通和农业。ASML 是一家跨国公司 ，总部位于荷兰费尔德霍芬，在欧洲、美国和亚洲设有办事处。每天，ASML有超过32,000名员工挑战现状，将技术推向新的极限。ASML在阿姆斯特丹泛欧交易所和纳斯达克 上市，股票代码为ASML。在 www.asml.com 上了解 ASML 我们的产品、技术和职业机会。

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前瞻性陈述

本新闻稿包含前瞻性声明，包括与High NA系统的顺序、引入高NA EUV的道路、EUV路线图和高NA生产制造的预期时机、该平台的预期功能、性能和优势、英特尔未来 技术计划和进展以及其他非历史问题有关的声明。这些陈述基于当前的预期、估计、假设和预测，您不应过度依赖它们。 前瞻性陈述不能保证未来的表现，并且涉及风险和不确定性。这些风险和不确定性包括与高NA系统的生产制造及其时机 相关的风险、满足路线图和性能以及工具和平台属性的其他风险，如ASML最新的20-F表年度报告、英特尔 最新的10-K表报告以及ASML和英特尔向美国证券交易委员会提交的其他文件，可在www.sec.gov上查阅。这些前瞻性陈述仅在本文件发布日期 时作出。我们不承诺更新或修改前瞻性陈述，无论是由于新信息、未来事件还是其他原因。

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